1N4007 - Diode à jonction PN - Fiche technique
Présentation de la diode à jonction 1N4007
La diode 1N4007 est une diode à jonction de type PN en silicium, utilisée principalement pour redresser un signal alternatif (AC) en un signal continu (DC). Ce composant est enfermé dans un boîtier de type DO-41 (DO en anglais est l'abréviation de Diode Outline pour les boîtiers de diodes), reconnu par la forme cylindrique avec ces deux pattes métalliques de part et d'autre du boîtier.
Brochage (pinout)
Pour installer cette diode dans vos montages, il est nécessaire d'identifier l'anode de la cathode. Pour ce fait, nous vous proposons le schéma ci-dessous pour identifier chaque broche de cette diode à jonction :
Paramètres électrique de la diode
Pour une utilisation parfaite de ce composant et ne pas avoir de surprises, nous vous recommandons de respecter les différentes limites exposées dans le tableau ci-dessous. L'ensemble de ces informations est disponible dans la fiche technique officielle fournie par la société Taiwan Semiconductor.
| Paramètre | Symbole | Valeur |
|---|---|---|
| Tension inverse de crête répétitive maximale | VRRM | 1000V |
| Tension inverse RMS maximale | VRMS | 700V |
| Tension de blocage continu maximale | VDC | 1000V |
| Courant direct redressé moyen maximal | IF(AV) | 1A |
| Courant direct de crête, demi-onde sinusoïdale de 8,3 ms superposée à la charge nominale | IFSM | 30A |
| Tenue pour impulsion (t < 8,3 ms) | I2t | 3.7A²·s |
| Tension directe instantanée maximale à 1 A | VF | 1.0V |
| Courant inverse maximal à la tension inverse nominale, TJ = 25 °C | IR | 5µA |
| Courant inverse maximal à la tension inverse nominale, TJ = 125 °C | IR | 50µA |
| Capacité de jonction typique (mesuré à 1 Mhz pour une tension de 4V en courant continu) | Cj | 10pF |
| Résistance thermique typique jonction-boîtier | RθJC | 6°C/W |
| Résistance thermique typique jonction-point de référence | RθJL | 15°C/W |
| Résistance thermique typique jonction-ambiance | RθJA | 65°C/W |
| Plage de température de jonction de fonctionnement | TJ | -55°C à +150°C |
| Plage de température de stockage | TSTG | -55°C à +150°C |
Activité et découverte
Electro-robot vous propose la liste des activités et de découverte ci-dessous pour découvrir ce composant la diode à jonction 1N4007 :
La fiche technique de la diode 1N4007 (fiche constructeur)
A titre d'information, nous vous partageons la documentation technique de cette diode de la référence 1N4007 proposée par la la société Taiwan Semiconductor que vous pouvez télécharger directement depuis le lien ci-dessous :
Remarque : les droits d'auteur de cette fiche technique 1N4007 reviennent à la société Taiwan Semiconductor. Nous vous rappelons que toutes les informations décrites sur cette fiche technique(*) ne sont fournies qu'à titre informatif et pédagogique uniquement et elles reviennent à leur auteur. Pour plus de détails, vous pouvez écrire à la société fabricante de ce composant.
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