2N6277 - Transistor NPN - Fiche technique
Présentation du transistor NPN 2N6277
Le transistor 2N6277 est un transistor (BJT) de type NPN. Ce transistor est très utilisé dans les amplificateurs de signaux électriques de forte puissance, les circuits de régulation et de puissance, la commande de charges électriques importantes, etc. ainsi que dans les circuits de conversion et de gestion de l'énergie. Ce transistor est encapsulé dans un boîtier TO-3 (TO en anglais est l'abréviation de Transistor Outline package) métallique pour faciliter la dissipation thermique.
Brochage (pinout)
Pour installer facilement ce transistor, faciliter son branchement et son intégration dans vos conceptions électroniques, nous vous proposons la modélisation ci-dessous afin d’identifier les différentes broches de ce composant :
Caractéristiques de fonctionnement
Pour utiliser ce transistor dans les conditions recommandées, il est obligatoire de respecter les caractéristiques de fonctionnement ci-dessous. Les informations indiquées sont à une température ambiante de 25 °C (Tamb de 25 °C) :
| Symbole | Paramètre | Valeur max. |
|---|---|---|
| VCBO | Tension collecteur-base | 180 V |
| VCEO | Tension collecteur-émetteur | 150 V |
| VEBO | Tension émetteur-base | 6 V |
| IC | Courant collecteur continu | 50 A |
| ICM | Courant collecteur de crête | 100 A |
| IB | Courant de base continu | 20 A |
| PC | Puissance dissipée par le collecteur @ TC = 25 °C | 250 W |
Caractéristiques techniques
En se référant à la documentation constructeur de ce transistor de puissance, et pour un fonctionnement à une température ambiante à Ta = 25°C, il vous est demandé de respecter les limites techniques de fonctionnement de ce transistor, comme nous l'indique le tableau ci-dessous pour le transistor 2N6277 :
| Symbole | Paramètre | Condition de fonctionnement | Min. | Max. |
|---|---|---|---|---|
| VCEO(sus) | Tension de maintien collecteur-émetteur | IC = 50mA; IB = 0 | 150 V | |
| VCE(sat)-1 | Tension de saturation collecteur-émetteur | IC = 20A; IB = 2A | 1.0 V | |
| VCE(sat)-2 | Tension de saturation collecteur-émetteur | IC = 50A; IB = 10A | 3.0 V | |
| VBE(sat)-1 | Tension de saturation base-émetteur | IC = 20A; IB = 2A | 1.8 V | |
| VBE(sat)-2 | Tension de saturation base-émetteur | IC = 50A; IB = 10A | 3.5 V | |
| VBE(on) | Tension d'activation base-émetteur | IC = 20A; VCE = 4V | 1.8 V | |
| ICEO | Courant de coupure collecteur | VCE = 75V; IB = 0 | 50 µA | |
| ICEX | Courant de coupure collecteur | VCE = 180V; VBE(off) = 1.5V | 10 µA | |
| VCE = 180V; VBE(off) = 1.5V; TC = 150°C | 1.0 mA | |||
| IEBO | Courant de coupure émetteur | VEB = 6V; IC = 0 | 0.1 mA | |
| hFE-1 | Gain en courant continu | IC = 1A; VCE = 4V | 50 | |
| hFE-2 | Gain en courant continu | IC = 20A; VCE = 4V | 30 | 120 |
| hFE-3 | Gain en courant continu | IC = 50A; VCE = 4V | 10 | |
| fT | Produit gain-bande passante | IC = 1A; VCE = 10V | 30 MHz | |
| COB | Capacité de sortie | IE = 0; VCB = 10V; ftest = 0.1MHz | 600 pF |
La fiche technique du 2N6277
À titre d'information et pour plus d'information, vous pouvez retrouver l'ensemble de ces informations depuis la fiche technique de ce transistor 2N6277 de type NPN proposée par la société Inchange Inchange Semiconductor Company :
Remarque : les droits d'auteur de ce composant de référence 2N6277, présentés dans cette fiche technique ci-dessus, appartiennent à la société Inchange Semiconductor Company (ISC). Nous rappelons que toutes les informations décrites sur cette fiche technique(*) ne sont fournies qu'à titre informatif et pédagogique. Tous les droits appartiennent à leur propriétaire respectif. Pour plus de détails, vous pouvez écrire au fabricant de ce composant.
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